《科創(chuàng)板日報》5日訊，日本最大的半導(dǎo)體晶圓企業(yè)信越化學(xué)工業(yè)和從事ATM及通信設(shè)備的OKI開發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體材料的技術(shù)。制造成本可以降至傳統(tǒng)制法的十分之一以下。如果能夠量產(chǎn)，用于快速充電器等用途廣泛，有利于普及。

具體來看，該新技術(shù)可以在特有的基板上噴鎵系氣體，使晶體生長，晶體放在其他基板上作為功率半導(dǎo)體的晶圓使用。

有網(wǎng)友找到來消息的具體來源，是一家佳作信越化學(xué)工業(yè)的公司網(wǎng)站上的官方通告。

網(wǎng)頁鏈接：《Shin-Etsu Chemical to further drive forward its QST^® substrate business for implementation in GaN power devices》，大家有興趣可以自己去看看

部分網(wǎng)友對于該消息的真實性表示質(zhì)疑，有資深電子行業(yè)從業(yè)者表示，如果制造成本能夠降低90%，那么對于行業(yè)發(fā)展來說顯然是極好的，但這樣的技術(shù)進步，沒有首先發(fā)生在掌握了全世界氮化鎵90%以上產(chǎn)能的中國，而是發(fā)生在了日本，這就有點不可思議了。